半導體（semiductor）種電導率絕緣體至導體之間物質，其電導率容易受控制，作為信息處理元件材料。免費搜索本文：

從科技或經濟發展角度來，半導體非常。很電子産品，如計算機、移動電話、數字錄音機核單元都利用半導體電導率變化來處理信息。常見半導體材料矽、鍺、砷化镓等，而矽更各種半導體材料，商業應用最具響力種。

發展曆程

半導體發現實際以追溯到很久以。

，英國巴拉迪最先發現硫化銀電阻随着溫度變化況同于般屬，般況，屬電阻随溫度而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料電阻随着溫度而。這半導體現象首次發現。

久，法國貝克萊爾發現半導體電解質接觸形成結，照會産個電壓，這就後來們熟伏特效應，這被發現半導體第個特征。

，德國布勞恩觀察到某些硫化物電導與所加電場方向關，即導電方向性，兩端加個正向電壓，導通；如果把電壓極性反過來，就導電，這就半導體流效應，也半導體所特第種特性。同，舒斯特又發現銅與氧化銅流效應。

，英國史密斯發現硒晶體材料照電導增加電導效應，這半導體又個特性質。半導體這個效應，(jianxia霍爾效應餘績──個伴效應發現）雖以就先後被發現，但半導體這個名詞概到才被考尼格維斯首次使用。而總結半導體這個特性直到才由貝爾實驗完成。

很會疑問，為幺半導體被認需這麼呢?主原因當時材料純。沒好材料，很與材料相關問題就難以說清楚。

半導體于溫時電導率約ˉ～Ω·cm之間，純淨半導體溫度時電導率按指數。半導體材料很種，按化學成分分為元素半導體化物半導體兩類。除述晶态半導體，還非晶态機物半導體等本征半導體。

配置結構

基本簡介

顧名義：常溫導電性能介于導體(ductor）與絕緣體(insulator）之間材料，叫半導體（semiductor）。

物質形式種樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。們通常把導電性導電導熱性差或好材料，如剛、晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導電、導熱都比較好屬如、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體。以簡單把介于導體絕緣體之間材料稱為半導體。與導體絕緣體相比，半導體材料發現最，直到世紀代，當材料提純技術改進以後，半導體才真正被學術界認。

半導體分類，按照其制造技術以分為：集成電器件，分器件、電半導體、邏輯ic、模拟ic、儲器等類，般來說這些還會被分成類。此還以應用領域、設計方法等進分類，雖然常用，單還按照ic、lsi、vlsi（超lsi）及其規模進分類方法。此，還按照其所處理信号，以分成模拟、數字、模拟數字混成及功能進分類方法。

電阻率介于屬絕緣體之間并負電阻溫度系數物質。

半導體溫時電阻率約e-～e歐·米之間，溫度時電阻率指數則減。

半導體材料很，按化學成分分為元素半導體化物半導體兩類。

鍺矽較常用元素半導體；化物半導體包括-族化物（砷化镓、磷化镓等）、-族化物(硫化镉、硫化鋅等）、氧化物(錳、鉻、鐵、銅氧化物），以及由-族化物-族化物組成固溶體（镓鋁砷、镓砷磷等）。除述晶态半導體，還非晶态玻璃半導體、機半導體等。

半導體（東方言）：指半導體收音機，因收音機晶體管由半導體材料制成而得名。

本征半導體

含雜質且無晶格缺陷半導體稱為本征半導體。極溫度，半導體價帶滿帶(見能帶理論），受到熱激發後，價帶部分電子會越過禁帶進入能量較空帶，空帶電子後成為導帶，價帶缺個電子後形成個帶正電空位，稱為空穴。導帶電子價帶空穴稱電子-空穴對，均能自由移動，即載流子，們電場作用産定向運動而形成宏觀電流，分别稱為電子導電空穴導電。這種由于電子-空穴對産而形成混型導電稱為本征導電。導帶電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為複。複時釋放能量變成電磁輻射（發）或晶格熱振動能量（發熱）。定溫度，電子-空穴對産複同時并達到動态平衡，此時半導體具定載流子密度，從而具定電阻率。溫度時，将産更電子-空穴對，載流子密度增加，電阻率減。無晶格缺陷純淨半導體電阻率較，實際應用。

功能特點

半導體特性∶電阻率特性，導電特性，電特性，負電阻率溫度特性，流特性。

形成晶體結構半導體，為摻入特定雜質元素，導電性能具控性。

照熱輻射條件，其導電性顯變化。

晶格：晶體原子空間形成排列齊點陣，稱為晶格。

共價鍵結構：相鄰兩個原子對最層電子（即價電子）但各自圍繞自所屬原子核運動，而且現相鄰原子所屬軌，成為共用電子，構成共價鍵。

自由電子形成：常溫，數價電子由于熱運動獲得夠能量，掙脫共價鍵束縛變成為自由電子。

空穴：價電子掙脫共價鍵束縛變成為自由電子而留個空位置稱空穴。

電子電流：加電場作用，自由電子産定向移動，形成電子電流。

空穴電流：價電子按定方向依次填補空穴（即空穴也産定向移動），形成空穴電流。

本征半導體電流：電子電流+空穴電流。自由電子空穴所帶電荷極性同，們運動方向相反。

載流子：運載電荷粒子稱為載流子。